5 Minuty
Firma Samsung nie zwalnia tempa w rozwoju nowoczesnych rozwiązań pamięci o wysokiej przepustowości. Po udanej premierze pierwszych układów HBM4 podczas SEDEX 2025, producent zapowiada jeszcze szybszą wersję HBM4, która zadebiutuje na ISSCC 2026. Oto szczegóły dotyczące wzrostu prędkości, inżynierii najnowszego HBM4 oraz znaczenia innowacji dla sztucznej inteligencji i obliczeń wysokiej wydajności.
Znaczny wzrost przepustowości: od 2,4TB/s do 3,3TB/s
Podczas targów SEDEX w ubiegłym miesiącu, Samsung zaprezentował swoją pierwszą, szóstą generację pamięci o wysokiej przepustowości HBM4, oferującą transfer rzędu 2,4TB/s. Według raportów branżowych, nowy układ HBM4, prezentowany przez Samsunga na International Solid-State Circuits Conference (ISSCC) w dniach 15–19 lutego 2026 w San Francisco, osiąga szczytową przepustowość do około 3,3TB/s. To aż 37,5% wzrostu w stosunku do poprzedniego modelu.
Co zmieniło się w architekturze?
Źródła wskazują, że ten znaczący przyrost prędkości wynika z przeprojektowanej struktury ułożenia stosu oraz usprawnionego interfejsu komunikacyjnego, które razem zwiększają wydajność transmisji przy jednoczesnej poprawie efektywności energetycznej. Samsung postawił na proces DRAM typu 1c w swoich modułach HBM4, podczas gdy konkurencja, tak jak Micron oraz SK Hynix, wybrała technologie 1b. Innowacje architektoniczne Samsunga oraz dobór procesu technologicznego mają na celu maksymalne zwiększenie przepustowości na każdy pobrany wat, bez zwiększania rozmiaru pakietu.
Najważniejsze parametry techniczne
- Przepustowość HBM4 (wcześniejsza): 2,4TB/s
- Planowana przepustowość HBM4: do 3,3TB/s
- Wzrost wydajności: ~37,5%
- Zmiany projektowe: nowa struktura stosu i interfejsu
- Wariant DRAM: Samsung 1c vs konkurencja 1b
Dlaczego nowa HBM4 jest kluczowa dla AI i serwerów?
Pamięć o wysokiej przepustowości stanowi jeden z najważniejszych elementów w systemach akceleratorów AI oraz kartach graficznych GPU dla centrów danych. Wyższa przepustowość obniża opóźnienia, przyspiesza trenowanie modeli sztucznej inteligencji i wnioskowanie oraz może znacząco zmniejszyć pobór energii na każde przetwarzane zadanie. Po wcześniejszych wyzwaniach związanych z przegrzewaniem się modułów HBM, Samsung wdrożył usprawnienia konstrukcyjne oraz poprawił wskaźniki produkcyjne, by odzyskać swoją pozycję na rynku. Firma przewiduje, że HBM4 stanie się kluczowym źródłem przychodów, gdy rynek pamięci ponownie zyska na znaczeniu.
Podczas ostatniego briefingu ISSCC Korea, Kim Dong-gyun ze SK Hynix podkreślał, że rozwój DRAM napędzany jest podwójną potrzebą większej przepustowości oraz energooszczędności. Wkroczenie Samsunga z jeszcze szybszym HBM4 na ISSCC 2026 akcentuje tę tendencję i przygotowuje pole do rywalizacji w segmencie nowoczesnych pamięci dla serwerów AI.
Więcej szczegółów technicznych i praktycznych wyników testów poznamy już podczas oficjalnej prezentacji układu przez Samsunga na ISSCC w lutym — to wydarzenie, które przyciągnie uwagę inżynierów sprzętu i dostawców chmury, poszukujących najwyższej wydajności dla obciążeń związanych ze sztuczną inteligencją.
Technologiczne innowacje Samsung HBM4 – co dalej?
Najnowocześniejsze rozwiązania pamięci HBM4 Samunga wprowadzają kolejną generację innowacji dla branży serwerowej i AI. Przełomowe parametry wydajności, efektywność energetyczna oraz konsekwentne inwestycje w architekturę DRAM umacniają pozycję firmy jako lidera w świecie zaawansowanych pamięci. Wzrost zapotrzebowania na obliczenia związane z AI oraz big data jeszcze bardziej podkręca konkurencję na rynku HBM, gdzie Samsung, SK Hynix i Micron prześcigają się w prezentowaniu coraz lepszych rozwiązań.
Rynkowa ofensywa nowych układów HBM4 zbiega się z dynamicznym rozwojem sztucznej inteligencji i przetwarzania danych w chmurze, co podkreśla kluczową rolę wysokoprzepustowej pamięci w całym ekosystemie nowoczesnych centrów danych. Każda nowa generacja – poza fizycznymi parametrami – wymaga również wdrażania zaawansowanych technik kontroli termicznej oraz optymalizacji integracji z nowoczesnymi procesorami i układami graficznymi używanymi w AI.
Znaczenie HBM4 dla przyszłości rynku pamięci
Zaawansowane układy HBM4 mogą wyznaczyć nowe standardy dla całego sektora pamięci wysokoprzepustowej. Przełomowe rozwiązania konstrukcyjne, zastosowanie procesu technologicznego DRAM 1c oraz stała optymalizacja energetyczna mają istotny wpływ na rosnące wymagania rynków AI, HPC oraz przetwarzania w chmurze. Konkurencja na tym polu sprzyja szybszemu rozwojowi i przynosi korzyści zarówno producentom sprzętu, jak i użytkownikom końcowym.
Nadchodząca prezentacja Samsunga na ISSCC 2026, podczas której zostaną ujawnione nowe szczegóły techniczne i wyniki testów w środowisku rzeczywistym, może zadecydować o tempie kolejnych wdrożeń technologii pamięci HBM w latach 2026–2027. W obliczu gwałtownego wzrostu zapotrzebowania na zaawansowane systemy AI, rozwój wydajnych i energooszczędnych pamięci HBM4 stał się jednym z kluczowych wyzwań branży półprzewodników.
Podsumowując, HBM4 Samsunga otwiera nowy rozdział w świecie wysokowydajnych pamięci dla AI oraz serwerów. Innowacyjne podejście do projektowania, zaawansowane procesy technologiczne oraz nacisk na efektywność energetyczną sprawiają, że rozwiązania te już wkrótce mogą stać się fundamentem przyszłości obliczeń opartych na sztucznej inteligencji i chmurze.
Źródło: sammobile
Zostaw komentarz