3 Minuty
Huawei rozwija nowoczesne układy półprzewodnikowe 3 nm
Firma Huawei przesuwa granice produkcji chipów, rozpoczynając ambitny proces opracowania dwóch nowoczesnych układów o technologii 3 nm. Pomimo rygorystycznych amerykańskich sankcji handlowych ograniczających dostęp do najnowszych technologii półprzewodnikowych, chiński gigant technologiczny konsekwentnie rozwija swoje możliwości w zakresie projektowania procesorów, zwiastując istotną zmianę na światowym rynku układów scalonych.
Strategia dwutorowa: GAA FET oraz nanorurki węglowe
Informacje ujawnione przez przedstawicieli branży i tajwańskie media wskazują, że Huawei przyjmuje dynamiczną strategię dwutorową. Pierwszy kierunek koncentruje się na układzie 3 nm z tranzystorami Gate-All-Around (GAA) FET, które zapewniają wyższą wydajność i energooszczędność w nowoczesnych procesorach. Drugi, jeszcze bardziej innowacyjny obszar, obejmuje rozwój półprzewodników opartych na technologii nanorurek węglowych (CNT) – mogącej wyznaczyć nowy etap poza tradycyjnymi układami krzemowymi. Oba projekty planują osiągnięcie tzw. tape-out do 2026 roku, a masowa produkcja może ruszyć już w 2027, jeśli postępy technologiczne utrzymają się na obecnym poziomie.
Budowanie na wcześniejszych sukcesach i pokonywanie barier technologicznych
Strategia Huawei bazuje na dotychczasowych osiągnięciach, takich jak 5 nm układ Kirin X90 produkowany w SMIC bez dostępu do zaawansowanego sprzętu EUV od ASML. Wykorzystując litografię głębokiego ultrafioletu (DUV) i złożone techniki multipatterning, SMIC zdołał wyprodukować te chipy, choć uzysk produkcyjny wynosił ok. 20% – znacznie mniej niż u liderów takich jak TSMC czy Samsung, korzystających z litografii EUV przy procesach 3 nm.
Chipy GAA FET mogą zaoferować lepsze osiągi i efektywność energetyczną w porównaniu do poprzednich generacji Kirin, zaś innowacje z użyciem nanorurek węglowych mają szansę sięgnąć poza obecne ograniczenia technologii krzemowej, choć na razie ich komercyjna opłacalność pozostaje niepewna.
Wyzwania, konkurencja i przyszłość wyścigu półprzewodnikowego
Główną przeszkodą są niskie uzyski produkcyjne, które przy miniaturowej litografii 3 nm i wykorzystaniu DUV mogą jeszcze spadać, zwiększając koszty i komplikację procesu wytwarzania. Huawei jednak intensywnie inwestuje – ponad 37 miliardów dolarów – w rozwój własnych krajowych narzędzi do litografii EUV. Część ekspertów i obserwatorów rynku wyraża optymizm, że Huawei osiągnie kluczowe przełomy w technologii EUV do 2026 roku, co pozwoli ograniczyć zależność od zagranicznych dostawców. Sceptycy pozostają jednak ostrożni, wskazując na dominację firm takich jak ASML na rynku EUV.
Wpływ na rynek i znaczenie globalne
Jeśli Huawei zdoła skutecznie wprowadzić konkurencyjne układy 3 nm w oparciu o GAA FET, a w przyszłości także architekturę nanorurkową, znacznie zmniejszy dystans do liderów rynku półprzewodnikowego – TSMC i Samsunga. Sukces ten nie tylko umocni pozycję Chin w światowym wyścigu technologicznym, ale może też przyspieszyć innowacje i zwiększyć konkurencję w całej branży chipów. Wyzwania, takie jak niska wydajność produkcji i zależność od DUV, nie zostały jednak jeszcze pokonane.
Zbliżając się do 2026 roku, świat technologii uważnie obserwuje kolejne etapy rozwoju chipów Huawei. Nadchodzące innowacje mogą poważnie wpłynąć na światowy krajobraz rynku półprzewodnikowego.
Komentarze