Samsung Galaxy S26 Ultra z przełomową pamięcią RAM: Nowy standard wydajności i efektywności

Podsumowanie: Wyjaśnienie ulepszeń pamięci RAM w S26 Ultra

Najnowszy flagowiec Samsunga, Galaxy S26 Ultra, zapowiada się jako istotny krok naprzód w dziedzinie wydajności pamięci operacyjnej. Według przecieków, urządzenie otrzyma moduły LPDDR5X RAM, które osiągają przepustowość nawet 10,7 gigabita na sekundę (Gbps) – co stanowi widoczny wzrost względem Galaxy S25 Ultra, gdzie zastosowano kości o przepustowości 9,6Gbps. Szybsza pamięć — najprawdopodobniej Micron 1γ (1-gamma) LPDDR5X — została stworzona z myślą o obsłudze wymagających zadań, takich jak AI działające na urządzeniu czy aplikacje pracujące na dużych zbiorach danych.

Najważniejsze cechy produktu

Szybsza pamięć LPDDR5X

Oczekuje się, że Galaxy S26 Ultra będzie wyposażony w LPDDR5X DRAM taktowaną na 10,7Gbps, co usprawni wielozadaniowość, granie i przetwarzanie AI. Wyższa przepustowość pamięci likwiduje potencjalne wąskie gardła i pozwala chipowi oraz układom neuronowym działać ze znacznie większą wydajnością.

Wyższa efektywność energetyczna

Technologia Micron 1γ gwarantuje do 20% niższe zużycie energii w porównaniu do wcześniejszych układów LPDDR5X produkowanych w procesie 1β. Dzięki temu użytkownik może spodziewać się wolniejszego rozładowywania baterii w czasie wymagających zadań, wydłużonego czasu pracy na ekranie oraz zmniejszonego ryzyka przegrzewania się urządzenia pod obciążeniem.

Zredukowane rozmiary obudowy DRAM

Nowe moduły pamięci mają zaledwie 0,61mm grubości, co wpływa na jeszcze bardziej kompaktowe rozmiary. Oszczędność miejsca może zostać przeznaczona na większy sensor aparatu, pojemniejszą baterię lub urządzenie może zyskać smuklejszą sylwetkę.

Porównanie: Galaxy S26 Ultra vs S25 Ultra

Podczas gdy Galaxy S25 Ultra wykorzystywał moduły LPDDR5X bazujące na procesie Micron 1β (w wielu wersjach montowano części Microna z powodu zmian w dostawach), S26 Ultra przechodzi na rozwiązania 1γ lub odpowiedniki Samsunga, które osiągają 10,7Gbps. Takie usprawnienia przekładają się na konkretne korzyści:

• Przepustowość: 10,7Gbps kontra 9,6Gbps — wyższa wydajność w aplikacjach i przy pracy wielozadaniowej.
• Efektywność: do 20% mniej pobieranej energii w przypadku pamięci 1γ.
• Temperatura i niezawodność: nowszy proces oferuje rozwiązania dla wcześniejszych problemów z przegrzewaniem.
• Miejsce: cieńsze moduły DRAM umożliwiają lepsze rozmieszczenie komponentów i rozszerzenie funkcjonalności telefonu.

Zalety i praktyczne zastosowania

Dla użytkownika oznacza to szybsze uruchamianie aplikacji, płynniejsze przełączanie się pomiędzy otwartymi programami i większą responsywność funkcji opartych na sztucznej inteligencji, takich jak rozpoznawanie głosu czy przetwarzanie obrazu bezpośrednio na urządzeniu. Gracze i twórcy treści skorzystają z wyższej przepustowości przy renderingu grafiki lub edycji dużych plików, natomiast użytkownicy biznesowi i wymagający profesjonaliści odczują krótsze opóźnienia oraz lepszą wydajność w aplikacjach operujących na dużej ilości danych.

Rola na rynku i informacje o dostawcach

Obecnie źródła wskazują na Micron jako dostawcę pamięci 1γ LPDDR5X, ale Samsung posiada także własne kości DRAM 10,7Gbps, które mogą znaleźć się w wersu S26 Ultra. Problemy z procesem produkcji LPDDR5X w zeszłym roku sprawiły, że w S25 stosowano strategie dywersyfikacji dostawców – podobne testy i zamówienia od różnych firm są kontynuowane w S26. Niezależnie od wybranego producenta użytkownicy mogą oczekiwać identycznego poziomu wydajności i efektywności energetycznej.

Podsumowanie

Galaxy S26 Ultra połączy nowoczesny chipset z szybszą i oszczędniejszą energetycznie pamięcią LPDDR5X. Taki zestaw wzmocni wydajność AI, wydłuży czas pracy na baterii i pozwoli wygospodarować dodatkowe miejsce wewnątrz smartfona na kolejne udoskonalenia — wszystkie te cechy razem mogą pomóc Samsungowi jeszcze bardziej ugruntować pozycję lidera na rynku flagowych smartfonów.